PENUMBUHAN FILM TIPIS TITANIUM DIOXIDE (TiO2) PADA SUBSTRAT Si(100) DENGAN METODE SPIN COATING
Abstract
Abstract: The Growth of Thin Film of Titanium Dioxide (TiO2) on the Substrate Si(100) with Spin Coating Method. The thin film of TiO2 have been successfully grown on n-type Si(100) substrate using spin coating method with titanium (IV) isopropoxide [Ti{OCH(CH3)2}4] 99.99% as the metal organic precursor and tetrahydrofuron (THF) as a solvent. Deposition without wetting layer forms random grain with amorphous structure, while deposition with TTIP wetting layer forms columnar grain. The structure and morphology of the crystals were influenced by annealing temperature. Annealing at 400 oC yielded amorphous structure, annealing at 450 oC yielded mixture of rutile and anatase structures, and annealing at 500 and 550 oC yielded anatase crystal plane. The band-gap energy of TiO2 tin film is 3,7 eV.
Abstrak: Penumbuhan Film Tipis Titanium Dioxide (TiO2) pada Substrat Si(100) dengan Metode Spin Coating. Film tipis TiO2 telah ditumbuhkan pada subtrat Si(100) tipe-n menggunakan metode spin coating. Sintesis ini menggunakan prekursor metalorganik titanium (IV) isopropoxide [Ti{OCH(CH3)2}4] dengan pelarut tetrahydrofuran (THF). Sintesis yang dilakukan tanpa lapisan buffer menghasilkan butiran random dengan struktur amorf, sedangkan sintesis yang dilakukan dengan menggunakan lapisan buffer TTIP menghasilkan butiran kolumnar. Struktur dan morfologi kristal film TiO2dipengaruhi oleh suhu pemanasan pasca pelapisan. Pemanasan pada suhu 400 °C menghasilkan film amorf, suhu 450 °C menghasilkan campuran rutile dan anatase, dan pemanasan pada suhu 500 dan 550 °C menghasilkan Fil berfase anatase. Film tipis yang dihasilkan merupakan film homogen dengan ukuran butir berorde nano meter dan mempunyai celah pita energi sekitar 3,7 eV.
Abstrak: Penumbuhan Film Tipis Titanium Dioxide (TiO2) pada Substrat Si(100) dengan Metode Spin Coating. Film tipis TiO2 telah ditumbuhkan pada subtrat Si(100) tipe-n menggunakan metode spin coating. Sintesis ini menggunakan prekursor metalorganik titanium (IV) isopropoxide [Ti{OCH(CH3)2}4] dengan pelarut tetrahydrofuran (THF). Sintesis yang dilakukan tanpa lapisan buffer menghasilkan butiran random dengan struktur amorf, sedangkan sintesis yang dilakukan dengan menggunakan lapisan buffer TTIP menghasilkan butiran kolumnar. Struktur dan morfologi kristal film TiO2dipengaruhi oleh suhu pemanasan pasca pelapisan. Pemanasan pada suhu 400 °C menghasilkan film amorf, suhu 450 °C menghasilkan campuran rutile dan anatase, dan pemanasan pada suhu 500 dan 550 °C menghasilkan Fil berfase anatase. Film tipis yang dihasilkan merupakan film homogen dengan ukuran butir berorde nano meter dan mempunyai celah pita energi sekitar 3,7 eV.