KARAKTERISASI PENDEPOSISIAN FILM TIPIS ALUMINIUM (Al) PADA SUBSTRAT SILIKON DENGAN SISTEM SPUTTERING ARC-12M

Slamet Widodo

Abstract


Abstract: Characterization of Thin Film Deposition of Aluminum (Al) on Substrates Using Arc-12M Sputtering System. The samplea deposition on the substrate were done under vacuum condition using sputtering system. This process has been widely used in interconnection of microelectronics circuits such as contact system, conductor, resistor and capacitor. The sputtering system is generally used for metal (metallization) and non metal deposition (insulator deposition). The metal deposition is operated by DC Sputtering, while non metal deposition or insulator/dielectric layer deposited by RF Sputtering. The ARC-12M Sputtering system can do deposition for both metals (DC-Sputtering) and insulator/dielectrics (RF-Sputtering). In This paper we reports the effect of time, pressure of Argon gas, and power sputtering to the rate of sample deposition. It is also reported the rate of Aluminium deposition on the silicon substrat  as metallization processes for contact system.

Abstrak: Karakterisasi Pendeposisian Film Tipis Aluminium (Al) Pada Substrat Silikon dengan Sistem Sputtering Arc-12M.  Pendeposisian material pada substrat dilakukan pada ruangan hampa udara dengan menggunakan metoda sistem Sputtering. Proses ini banyak digunakan pada sistem interkoneksi sirkit mikroelektronika atau pembuatan metalisasi, lapisan dielektrik, pada devais semikonduktor, atau untuk pembuatan sistim kontak, konduktor, resistor maupun kapasitor. Sistem sputtering dapat digunakan untuk pelapisan (pendeposisian) metal dan non metal (alloy/dielektrik). Pada Pelapisan metal disebut proses metalisasi dioperasikan dengan DC Sputtering, sedangkan pada pelapisan non metal digunakan  RF Sputtering. Pada Sistem Sputtering Arc-12M kedua proses ini dapat dilakukan dengan baiak. Dalam tulisan ini dilaporkan hasil penelitian mengenai pengaruh waktu, tekanan gas Argon dan daya sputtering terhadap .laju pendeposisian sampel , Selain itu dilaporkan hasil pengamatan laju pendeposisian Aluminium (Al) pada substrat Silikom sebagai proses metalisasi untuk sistem kontak.