PENUMBUHAN FILM TIPIS GaN PADA SUBSTRAT SAFIR DENGAN TEKNIK SOL-GEL SPIN-COATING

Abstract

Abstract: Gallium Nitride (GaN) films have been successfully deposited on sapphire Al₂O₃ (0001) substrates by the sol-gel spin-coating technique. This aims of this study are to construct a thus layer film of GaN on Al₂O₃ as substrat, and to know  the enfluent of temperature on the character of GaN crystal produced. The gel was prepared from gallium-citrate-amine crystals. The gel films were pla­ced in a programmable furnace. The deposition temperature was fixed at 1123, 1173, and 1223 K un­der a constant flow of N₂ gas for a period of  3 hours. The crystalline quality of films was cha­rac­te­ri­zed by XRD measurement, SEM, and UV-Vis spectroscopy. The result suggests that the GaN films deposited on the sapphire show polycrystallines. It is shown that increasing temperature improves the quality of GaN films.  Optical Band­ gap of GaN films deposited on the Al₂O₃ (0001) also depends on growth temperature.

Abstrak: Film Gallium Nitrida (GaN) telah berhasil dideposisi pada substrat safir Al₂O₃ (0001) dengan teknik sol-gel spin-coating. Penelitian ini bertujuan untuk membuat lapisan film Gallium Nitrida (GaN) substrat Al₂O₃ serta mengetahui pengaruh suhu terhadap karakter kristal GaNnya terbentuk. Jel dibuat dari kristal galium-sitrat-amina. Film jel  ditempatkan dalam tungku yang dapat diprogram. Temperatur deposisi film dibuat tetap pada 1123, 1173, dan 1223 K di bawah aliran gas N₂ yang konstan selama periode 3 jam. Kualitas kristal film dikarakterisasi dengan pengukuran XRD, SEM, dan spektroskopi UV-Vis. Hasilnya menunjukkan bahwa film GaN yang dideposisi pada safir menunjukkan ciri polikristal. Kualitas kristal film GaN tergantung pada temperatur pertumbuhan dan peningkatan temperatur meningkatkan kualitas film GaN. Band gap optik dari GaN film disimpan pada Al₂O₃ (0001) juga tergantung pada temperatur pertumbuhan.